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[发明专利]带隙基准电路-CN201010187374.0有效
发明人：段新东 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明提出一种带隙基准电路，在现有带隙基准电路的基础上增加一个支路，支路包括第五CMOS、第六CMOS和第七CMOS，第五CMOS的源极、第六CMOS的源极、第七CMOS的源极相连，第五CMOS的漏极、第六CMOS的漏极和第七CMOS的栅极相连，第五CMOS的栅极和电路中的放大器的输出端相连；第八CMOS、第九CMOS、第十CMOS和第十一CMOS，第九CMOS的栅极、第九CMOS的源极、第十CMOS的栅极、第十一CMOS的源极相连，第十CMOS的源极和放大器的输出端相连，本发明在现有的带隙基准电路上增加一个支路，用于提高该带隙基准电路的转换速度。
基准电路

[发明专利]一种通过网络远程自动恢复CMOS数据的方法和装置-CN200610065335.7有效
发明人：李志杰;周涛 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算机远程恢复CMOS数据的方法和系统，其中所述系统包括BMC、一个用于存储备份的CMOS数据的第一存储器、用于清除CMOS RAM中的CMOS数据的CMOS清除电路，该方法包括如下步骤：远端控制台向BMC发出清除CMOS数据的指令；BMC控制CMOS清除电路清除CMOS RAM中的CMOS数据；计算机启动时，BIOS将所述第一存储器中的CMOS数据写入到所述CMOS RAM中。利用本发明的方案，可以远程自动恢复CMOS数据，使CMOS数据的恢复简单易行。
一种通过网络远程自动恢复 cmos 数据方法装置

[发明专利]一种CMOS参数的设置维护装置及方法-CN200610109525.4无效
发明人：宋铜铃 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMOS参数的设置维护装置及方法。本发明的CMOS参数的设置维护装置包括与CMOS芯片连接的带外管理系统，带外管理系统中的CMOS维护单元通过与互补金属氧化物半导体随机存储器CMOS进行设置维护信息的传输，对CMOS中的参数进行设置维护利用本发明所提供的方法及装置，可以方便、快捷、随时实现CMOS参数设置维护功能，如实现查询CMOS参数、修改CMOS参数以及恢复CMOS默认设置等功能，使CMOS参数设置维护的操作时机不受限制，即便在CMOS密码遗失、服务器运行异常等情况下，仍然可以方便的实现CMOS参数设置维护功能；从而提高了CMOS参数的可维护性。
一种 cmos 参数设置维护装置方法

[发明专利]一种多通道CMOS图像同步传输整合方法及其系统-CN202211535897.9在审
发明人：周大立;王晓东;李云辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明涉及空间广域成像技术领域，特别涉及到一种多通道CMOS图像同步传输整合方法及其系统；在本发明内，主控单元发出高精度时间码、us脉冲同步信号和延时拍摄指令，成像控制板将高精度时间码和us脉冲同步信号发送至探测器模块的CMOS板A、CMOS板B、CMOS板C、CMOS板D，依据高精度时间码和us脉冲同步信号进行自守从而使得CMOS板A、CMOS板B、CMOS板C、CMOS板D同步驱动和拍摄，通道数据监测模块记录CMOS板A、CMOS板B、CMOS板C、CMOS板D的图像数据接收延迟信息，从而整合有效的探测图像，探测器模块将整合后有效的探测图像进行图像组包输出。
一种通道 cmos 图像同步传输整合方法及其系统

[发明专利]CMOS控制元件的二维阵列-CN201780027434.2有效
发明人：詹姆斯·克里斯蒂安·萨尔维亚;迈克尔·H·佩罗特;玛丽安·弗罗斯;埃尔德温·NG;朱丽叶斯·明林·蔡;尼克尔·艾佩特 -专利权人：应美盛公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N30/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子设备，其包括被布置成二维阵列的多个CMOS控制元件，其中，所述多个CMOS控制元件中的每个CMOS控制元件都包括两个半导体器件。所述多个CMOS控制元件包括第一CMOS控制元件子集和第二CMOS控制元件子集，第一CMOS控制元件子集中的每个CMOS控制元件包括第一类半导体器件和第二类半导体器件，第二CMOS控制元件子集中的每个CMOS所述多个CMOS控制元件被布置成二维阵列，使得：一类CMOS半导体器件仅与其他的同类CMOS半导体器件相邻。
cmos 控制元件二维阵列

[发明专利]一种基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器-CN202110324055.8有效
发明人：翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器，包括：CMOS测量电路系统和位于CMOS测量电路系统上的CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均采用CMOS工艺制备，CMOS测量电路系统上方包括至少一层密闭释放隔绝层，密闭释放隔绝层用于在制作CMOS红外传感结构的刻蚀过程中，保护CMOS测量电路系统不受工艺影响，至少一层密闭释放隔绝层位于CMOS红外传感结构中；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，位于CMOS红外传感结构中的密闭释放隔绝层降低了牺牲层的释放难度。
一种基于 cmos 工艺红外探测器

[发明专利]CMOS数据装入方法-CN00100938.9无效
发明人：廖伟捷 -专利权人：神达电脑股份有限公司
申请日： 2000-01-07 - 公布日： 2001-07-18 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：一种CMOS数据装入方法。首先,根据一第一待测单元的CMOS数据,建立一CMOS文件后,将CMOS数据传送至一主机处。接着,将CMOS文件自主机处传送到至少一第二待测单元,并根据CMOS文件设定第二待测单元的CMOS数据。
cmos 数据装入方法

[实用新型]一种CMOS器件保护电路和CMOS电路-CN201320509825.7有效
发明人：吴金振;庞师锋 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CMOS器件保护电路和CMOS电路。该CMOS器件保护电路设置在干扰源电路和CMOS器件输入电路之间，在所述干扰源电路产生大能量的干扰电压时，所述CMOS器件保护电路可对所述CMOS器件输入电路进行保护，从而避免所述CMOS器件输入电路中的CMOS器件受到所述大能量的干扰电压的干扰。其中，所述CMOS器件保护电路包括：能量转化电路，或能量泄放电路，或能量吸收电路，能够以多种形式实现。
一种 cmos 器件保护电路

[发明专利]一种稳定性增强的高输出功率射频功率放大器-CN201811077908.7在审
发明人：马建国;张蕾;傅海鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-16 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳定性增强的高输出功率射频功率放大器，包括一号CMOS晶体管、二号CMOS晶体管、三号CMOS晶体管、四号CMOS晶体管，一号CMOS晶体管和三号CMOS晶体管处于同一支路，二号CMOS晶体管和四号CMOS晶体管处于同一支路，一号CMOS晶体管和二号CMOS晶体管均为共源结构，三号CMOS晶体管和四号CMOS晶体管均为共栅结构，三号CMOS晶体管源极和四号CMOS晶体管漏极之间连接一号交叉耦合电容，三号CMOS晶体管漏极和四号CMOS晶体管源极之间连接二号交叉耦合电容。
射频功率放大器交叉耦合电容高输出功率稳定性增强支路漏极源极共源结构共栅结构输出功率稳定措施保证

[发明专利]CMOS功率放大器与电子设备-CN202110669548.5在审
发明人：陈永聪;孙亚楠;梁聪 -专利权人：锐迪科创微电子（北京）有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种CMOS功率放大器与电子设备，CMOS功率放大器包括第一CMOS管、第二CMOS管以及反馈调节电路；其中，第一CMOS管的栅极与CMOS功率放大器的输入端连接，第一CMOS管的漏极与第二CMOS管的源极连接，第二CMOS管的漏极与CMOS功率放大器的输出端连接，反馈调节电路的第一端与CMOS功率放大器的输出端连接，反馈调节电路的第二端与第二CMOS管的栅极连接；当CMOS功率放大器的输出端的电压大于反馈调节电路对应的导通电压时，反馈调节电路导通，从而能够在振荡或负载失配的情况下，防止CMOS功率放大器被过高的峰值电压击穿而损坏的问题发生，提高CMOS功率放大器的可靠性。
cmos 功率放大器电子设备

[发明专利]噪声型随机数生成装置-CN201510105707.3有效
发明人：耿靖斌;王谦;孔阳阳 -专利权人：大唐微电子技术有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明提供一种噪声型随机数生成装置，该噪声电流源，包括共源共栅电流源、电阻、第一共源放大器、第一镜像器、第一CMOS管、第二CMOS管、第三CMOS管、第四CMOS管、第一电容和第二电容；第一CMOS管的栅极和第二CMOS管的栅极连接，以使第二CMOS管的漏极输出第一电流；第三CMOS管的栅极和第四CMOS管的栅极连接，以使第四CMOS管的漏极输出第二电流。第二CMOS管的漏极和第四CMOS管的漏极分别与电流比较器连接，以使第一电流和第二电流分别流入电流比较器，获得随机数列。从而提高了生成随机数的速率。
噪声随机数生成装置

[发明专利]用于射频（RF）电路的隔离型互补金属氧化物半导体（CMOS）器件-CN201680061317.3在审
发明人： D·D·金;C·H·芸;J-H·J·兰;N·S·穆达卡特;金钟海;M·M·诺瓦克 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了用于射频(RF)电路的隔离型互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。在一些方面，RF电路包括CMOS器件、具有限定CMOS器件的掺杂区的硅衬底、以及穿过硅衬底的沟槽(524)。穿过硅衬底的沟槽形成围绕CMOS设备之一的掺杂区的连续通道，以将CMOS器件与硅衬底上实施的其他CMOS器件电隔离。通过这样做，与常规CMOS器件(例如，块状CMOS)的性能特性相比，可以改善CMOS器件的性能特性，例如线性和信号隔离。
硅衬底互补金属氧化物半导体性能特性掺杂区隔离型射频电路穿过沟槽形成连续通道信号隔离电隔离

[其他]使用集成MEMS及CMOS器件的片上系统-CN201090001412.2有效
发明人：杨晓 -专利权人：穆克波有限公司
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：使用集成MEMS及CMOS器件的片上系统，一种CMOS和MEMS器件设置在其中从而形成集成CMOS-MEMS系统的集成MEMS系统。该系统可包括硅衬底层、CMOS层、MEMS和CMOS器件以及晶圆级封装（WLP）层。CMOS层可形成界面区，在该界面区上可构造任意数量的CMOS MEMS器件。
使用集成 mems cmos 器件系统

[发明专利]最大电流选择器-CN200710035337.6无效
发明人：李少青;王建军;张民选;陈吉华;赵振宇;陈怒兴;马剑武;何小威;欧阳干;唐世民;王东林;邹金安;雷建武;郑东裕;王洪海 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种最大电流选择器，它包括第一CMOS晶体管M26、第二CMOS晶体管M24、第三CMOS晶体管M23和第四CMOS晶体管M7，第一CMOS晶体管M26、第二CMOS晶体管M24、第三CMOS晶体管M23和第四CMOS晶体管M7的源极相连并连接到电源，第二CMOS晶体管M24和第三CMOS晶体管M23的栅极相连都连接到节点Vn1，第一CMOS晶体管M26和第四CMOS晶体管M7的漏极相连作为电流输出信号Io，第一CMOS晶体管M26和第二CMOS晶体管M244的栅极连接到电压输入信号Vn0。
最大电流选择器

[实用新型]一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机-CN202021459796.4有效
发明人：张伟刚;郑小霞;余建成;李刚;寇经纬;眭越;田新锋 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机。旨在解决现有技术中存在的远场CMOS相机在真空环境下，其内部的CMOS传感器工作温度接近70度，容易导致远场CMOS相机整机性能严重恶化的技术问题，本实用新型包括机身和前盖板，以及在机身和前盖板之间形成的安装腔，安装腔内设有与前盖板平行的CMOS板，CMOS板上设有CMOS传感器和多个元器件；还包括设置于安装腔内且位于前盖板与CMOS板之间的导热垫；导热垫上设有让位孔；CMOS传感器安装于CMOS板上靠近导热垫的一侧，且位于让位孔内，元器件安装于CMOS板上远离导热垫的一侧，使得导热垫靠近CMOS板的一侧与CMOS板紧贴；导热垫靠近前盖板的一侧与前盖板紧贴。
一种用于真空环境功率激光 cmos 相机

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